主題：國(guó)星光電：已具備GaN芯片技術(shù)儲(chǔ)備積極開展GaN功率器件等研發(fā)工作

今日，國(guó)星光電（002449）召開年度股東大會(huì)，會(huì)上審議通過(guò)了《2021年度董事會(huì)工作報(bào)告》等12個(gè)議案。去年，國(guó)星實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入38.06億元，同比增長(zhǎng)16.64%。歸母凈利潤(rùn)2.03億元，同比增長(zhǎng)100.28%；扣非后歸母凈利潤(rùn)1.48億元，同比增長(zhǎng)157.10%。

值得注意的是，2021年，國(guó)星光電在研發(fā)方面投入2.38億元，同比大幅增長(zhǎng)63.19%，占營(yíng)業(yè)收入比例為6.26%。涉及研發(fā)項(xiàng)目包括硅基AIGaN垂直結(jié)構(gòu)近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應(yīng)用、彩色Micro LED顯示與超高亮度微顯示技術(shù)研究、高性能新型顯示期間研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、車用LED芯片、紫外光等，折射新型顯示、車用照明、消殺照明、封裝技術(shù)等。

目前，國(guó)星光電已推出SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件三大系列的第三代半導(dǎo)體。其中，SiC功率模塊及GaN器件新品實(shí)驗(yàn)線已投入生產(chǎn)運(yùn)作，可迅速響應(yīng)對(duì)接客戶個(gè)性化的需求；SiC功率分立器件產(chǎn)品產(chǎn)線已投入使用，并完成了多個(gè)合作商的試產(chǎn)訂單。另外，國(guó)星光電子公司國(guó)星半導(dǎo)體現(xiàn)已具備硅基GaN芯片相關(guān)技術(shù)儲(chǔ)備，并積極與高校和研究所展開GaN功率器件等的研發(fā)工作，且參與了兩項(xiàng)第三代半導(dǎo)體方向的省級(jí)研發(fā)項(xiàng)目。

國(guó)星光電表示：“未來(lái)，將繼續(xù)鞏固RGB顯示屏用器件優(yōu)勢(shì)做優(yōu)做大做強(qiáng)，持續(xù)深耕Mini LED技術(shù)做精做強(qiáng)做專。具體措施為一方面加強(qiáng)Mini/Micro LED直顯技術(shù)儲(chǔ)備，另一方面擴(kuò)大Mini LED背光產(chǎn)能規(guī)模，完善Mini技術(shù)路線布局?！?br />
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